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Notas Técnicas

Las notas aquí publicadas son preparadas especialmente por los instructores de Cise Electronica/s y son parte del material de nuestros cursos.

El objetivo de las mismas es enriquecer el conocimento de los técnicos y de toda persona que se interesa por la tecnología automotriz.

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Tesla Autopilot es un conjunto de características avanzadas del sistema de asistencia al conductor (ADAS) ofrecido por Tesla que equivale a la automatización del vehículo de Nivel 2.

Car Computer – Computadora del auto:

Es el nombre que Tesla colocó al ensamblaje de la computadora de control principal - MCU - que trabaja en combinación con el Autopilot AP (Piloto automático).

Los relays de alta tensión, tanto para el negativo como para rel positivo, tienen una línea de conexión que viene directamente de batería.

Estas conexiones visibles se encuentran cubiertas con un protector plástico color naranja.

Análisis preliminar del vehículo:

Tal vez el gran desafío para comprender el funcionamiento inicial de este vehículo consiste en determinar por dónde empezar.

Son tantos los componentes, sistemas y subsistemas involucrados en el funcionamiento qué impone establecer un criterio para facilitar la comprensión, dado que cómo se manifestó, estos vehículos constituyen en todo sentido una innovación.

EVSE (ELECTRIC VEHICLE SUPPLY EQUIPMENT)

El Sistema EVSE por sus siglas en inglés, se refiere a un Sistema de carga suplementario para vehículos eléctricos, consiste básicamente de una estación de carga externa que va conectada a la red eléctrica a 110 o 220 V teniendo la opción de proveer más o menos KW para una carga óptima en los sistemas Plug In.

Este equipo tiene la función de cargar la batería de alta tensión a partir de corriente alterna de 110 V o 220 V provistas por medio del puerto de carga normal -PDM -normalizado J1772.

La alimentación de CA es asegurada por un equipo EVSE en los tipos Nivel 1 o Nivel 2.

Una batería está formada por varias celdas. Cada celda consta de dos electrodos, que son unas placas de membrana metálica diseñadas para hacer contacto con una parte no metálica de un circuito, por ejemplo, un electrolito.

El electrolito es el medio por el que circulan las cargas y que unen ambos electrodos en una misma celda y se conoce como cualquier sustancia que contenga iones libres, por lo que se convierte en conductor eléctrico. El electrolito puede ser ácido o alcalino por lo que a su química se refiere y líquido o sólido, por su fase.

Los sistemas de inyección directa de combustible y también motores de reciente desarrollo,  están incorporando  bobinas especialmente diseñadas  para aumentar  la energía de la chispa y extender su duración.

Preferentemente,  en motores  que trabajan con condiciones de mezcla pobre y donde es necesario tener eficiencia en el encendido de la mezcla. (GDI).

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En estas bobinas,  la chispa inicial es seguida por varias chispas adicionales para asegurar la ignición de la mezcla aire-combustible en condiciones de funcionamiento difíciles, tanto cuando hay mezclas pobres o mucha recirculación de gas de escape por el EGR.

El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutación de altas corrientes es un requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).

En el caso de la excitación de este transistor se utiliza una compuerta aislada tipo MOSFET con lo cual se controla la conmutación por voltaje, y no por corriente llevando esto mucha eficiencia a la llave electrónica.

Sin duda, el avance y desarrollo de la tecnología en coches híbridos y eléctricos cada día nos llena de sorpresas, los diversos estudios e investigaciones que desarrollan las marcas en busca de una mejora en la  eficiencia en los de convertidores de potencia, en donde las pérdidas tanto en potencia como en temperatura aportan para que este factor no llegue un valor óptimo.

Dentro de las pérdidas en potencia están por ejemplo la activación y conducción de los elementos semiconductores(IGBT’s de silicio que son activados a una determinada frecuencia 10-30 Khz), en la temperatura los rangos de trabajos no deben ser altos por lo que la utilización de un sistema de enfriamiento por liquido hace más robusto al sistema.

Pero la aparición de materiales semiconductores denominados de banda prohibida en donde están los elementos de carburo de silicio (SiC), y sus  excepcionales propiedades físicashacen que sean especialmente adecuados paraaplicaciones electrónicas de alta frecuencia y alta potencia, confiriéndolesademás una elevada resistencia frente a las altas temperaturas, la radiación y los ambientes químicos extremos.

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